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SAC-10Vx
イミュニティ
EFTカップリング
【P202/P302L-EFTセット】
パルスカップリングロングパルス1.5/5nsおよび1.5/20ns
パルスジェネレータP202およびP302は、ICのパルスイミュニティを決定するために使用されます。バースト/ESDデバイスのテスト中に、生成されたパルス状の外乱変数は、DUT(テスト対象でデバイス)で使用されるICに到達します。ICを個別にテストするために、LangerEMV-Technik GmbHのパルスジェネレータは、これらの弱められた外乱変数をシュミレートし、ICが機能している間、ICのすべてのピン/ボールの干渉耐性分析を可能にします。
パルス電源源P202の寸法は、電子アセンブリ内の磁場を介した干渉結合のメカニズムに基づいています。
パルス電圧源P302の寸法は、電子アセンブリの電界を介した干渉結合のメカニズムに基づいています。
ICテストマシンICT1を備えたジェネレータは、自動テストに使用されます。
パルス発生器P202およびP302は、バースト発電所BPS202と組み合わせてのみ操作できます。

【P250セット】
最大6kVのEFT/バーストカップリング
P250プローブセットは、IEC62215-3およびIEC61000-4-4に従って、ICピンで直接インパルスに対するイミュニティを測定するために使用されます。
パルスに対するイミュニティパラメータを知ることにより、ICの最適化とアプリケーション要件の定義が可能になります。P250カップリングネットワークの交換可能なプローブチップにより、さまざまな容量にわたるインパルスのカップリングが可能になります。



P250の測定ステーション
P250のスキーム測定ステーション

P250セット内容
【P1202-4/P1302-4セット】
EFT/バーストフィールドカップリング
バースト、EFT、ESDおよびHFを結合するための測定システムは、ICのイミュニティーのライン
ベースおよびフィールドベースの測定に使用できます。
EFT/バーストフィールドカップリングプローブセットに含まれるフィールドソースは、電気的および磁気的なEFT/バーストパルスフィールドを生成します。これらのフィールドは、EFT/バーストパルスフィールドに対するイミュニティを決定するためにICを定義し、再現性良く作用されるために使用されます。
この背景には、プリント回路基板と電子基板のEFT/バーストイミュニティがあります。これらは、EFT/バーストテスト(IEC61000-4-4)の対象となります。これらのテスト中、電界および磁界は、プリント回路基板に結合されたEFT/バーストイミュニティから発生します。これらのフィールドは、プリント回路基板の表面に作用し、ICのハウジングを貫通します。フィールドがICを貫通すると、ICにイミュニティが発生します。
したがって、磁場または電界を介したICの影響は、ICピンを介したEFT/バーストイミュニティの伝導結合に加えて、主要な干渉経路です。
ICのEMC動作に関するプローブセットEFT/バーストフィールドカップリングで得られた知識は、プリント回路基板の開発に組み込まれています。
これにより、時間のかかる再設計が回避され、開発コストが削減されます。さらに、IC EMCパラメータを決定するためのテスト方法の助けを借りて、ICメーカーはICをより効率的に開発することができます。
テストのセットアップには、ICテスト環境ICE1と外部デバイスが必要です。


P1202-4を使用した測定ステーションの構造と機能

P1202-4/P1302-4セットでセットアップをテストします。

P1202-4/P1302-4セット内容
【H4-1Cセット】
EFT/バースト磁場源
BS 06DB-s磁場源は、EFT/バースト磁場を生成するために使用されます。フィールドソースには、HVケーブルを介してEFT/バーストジェネレータ(IEC61000-4-4)からEFT/バースト電源が供給されます。最小のスペース(2.54m㎡)で高磁場(約200mT)を生成します。これにより、フィールドをICに結合するのに特に適しています。フィールドソースは、スキャナーに挿入するか、手動でガイドすることができます。SMB出力があります。



フィッシャーコネクタとSHVコネクタ
BS 06DB-sでの使用例

BS 06DB-sおよびHVケーブルでのセット内容
【H5-1Cセット】
EFT/バースト磁場源
BS 06DB-s磁場源は、EFT/バースト磁場を生成するために使用されます。フィールドソースには、HVケーブルを介してEFT/バーストジェネレータ(IEC61000-4-4)からEFT/バースト電源が供給されます。最小のスペースで高磁場(約150mT)を生成します。これにより、フィールドをICに結合するのに特に適しています。フィールドソースは、スキャナーに挿入するか、手動でガイドすることができます。SMB出力があります。



フィッシャーコネクタとSHVコネクタ
磁場源BS06DU-sの適用原理

BS 06DU-sおよびHVケーブルでのセット内容
ESDカップリング
【P331-2セット】
ESDパルスカップリングIEC61000-4-2
プローブセットP331-2は、ESDパルスをICに結合するために使用されます。P331-2プローブの寸法は、電子アセンブリのESD結合のメカニズムに基づいています。(IEC61000-4-2/HMMに準拠)。P331-2は、すべてのタイプのICピンでの測定を目的としています。

P331-2を備えた測定ステーションのスキーム


P331-2を備えた測定ステーション

P331-2セット内容
【P331L-ESDセット】
ESDパルスカップリングロングパルス0.2/5
プローブセットP331L-2ESDは、ランガーESDパルス(立ち上がり時間200ps)のICへの有線結合に使用されます。P331L-ESDプローブの寸法は、電子アセンブリへのESD結合のメカニズムに基づいています。



P331を備えた測定ステーションのスキーム
P331を備えた測定ステーション

P331のセット内容
【P1202-2セット】
ESD磁場カップリング
プローブセットESD磁場カップリングに含まれる磁場源は、磁場ESD磁場を生成します。このフィールドはICを定義し、ESDフィールドに対するイミュニティを判断するために再現可能な方法でICを適用するために使用されます。
この背景には、プリント回路基板と電子機器のESDフィールドイミュニティがあります。これらは、ESDテスト(IEC61000-4-2)の対象となります。これらのテスト中、電界および磁界は、プリント回路基板に結合されたESDイミュニティから発生します。これらのフィールドは、プリント回路基板の表面に作用し、ICのハウジングを貫通します。フィールドがICを貫通すると、ICにイミュニティが発生します。
したがって、磁場または電界を介したICの影響は、ICピンを介したESD干渉のラインベースの結合に加えて、主要な干渉経路です。
プローブセットESD磁場結合を備えたICのEMC動作について得られた知識は、アセンブリの開発に組み込まれています。
これにより、時間のかかる再設計が回避され、開発コストが削減されます。さらに、IC EMCパラメータを決定するためのテスト方法の助けを借りて、ICメーカーはICをより効率的に開発することができます。
テストのセットアップには、ICテスト環境ICE1と外部デバイスが必要です。



ICE1を使用した測定セットアップ