SAC-10Vx​

​イミュニティ

  EFTカップリング     

【P202/P302L-EFTセット】               

  パルスカップリングロングパルス1.5/5nsおよび1.5/20ns  

​パルスジェネレータP202およびP302は、ICのパルスイミュニティを決定するために使用されます。バースト/ESDデバイスのテスト中に、生成されたパルス状の外乱変数は、DUT(テスト対象でデバイス)で使用されるICに到達します。ICを個別にテストするために、LangerEMV-Technik GmbHのパルスジェネレータは、これらの弱められた外乱変数をシュミレートし、ICが機能している間、ICのすべてのピン/ボールの干渉耐性分析を可能にします。

​パルス電源源P202の寸法は、電子アセンブリ内の磁場を介した干渉結合のメカニズムに基づいています。

パルス電圧源P302の寸法は、電子アセンブリの電界を介した干渉結合のメカニズムに基づいています。

ICテストマシンICT1を備えたジェネレータは、自動テストに使用されます。

​パルス発生器P202およびP302は、バースト発電所BPS202と組み合わせてのみ操作できます。

【P250セット】               

  最大6kVのEFT/バーストカップリング  

P250プローブセットは、IEC62215-3およびIEC61000-4-4に従って、ICピンで直接インパルスに対するイミュニティを測定するために使用されます。

​パルスに対するイミュニティパラメータを知ることにより、ICの最適化とアプリケーション要件の定義が可能になります。P250カップリングネットワークの交換可能なプローブチップにより、さまざまな容量にわたるインパルスのカップリングが可能になります。

​P250の測定ステーション

​P250のスキーム測定ステーション

​P250セット内容

【P1202-4/P1302-4セット】               

  EFT/バーストフィールドカップリング  

​バースト、EFT、ESDおよびHFを結合するための測定システムは、ICのイミュニティーのライン

ベース​およびフィールドベースの測定に使用できます。

EFT/バーストフィールドカップリングプローブセットに含まれるフィールドソースは、電気的および磁気的なEFT/バーストパルスフィールドを生成します。これらのフィールドは、EFT/バーストパルスフィールドに対するイミュニティを決定するためにICを定義し、再現性良く作用されるために使用されます。

この背景には、プリント回路基板と電子基板のEFT/バーストイミュニティがあります。これらは、EFT/バーストテスト(IEC61000-4-4)の対象となります。これらのテスト中、電界および磁界は、プリント回路基板に結合されたEFT/バーストイミュニティから発生します。これらのフィールドは、プリント回路基板の表面に作用し、ICのハウジングを貫通します。フィールドがICを貫通すると、ICにイミュニティが発生します。

したがって、磁場または電界を介したICの影響は、ICピンを介したEFT/バーストイミュニティの伝導結合に加えて、主要な干渉経路です。

ICのEMC動作に関するプローブセットEFT/バーストフィールドカップリングで得られた知識は、プリント回路基板の開発に組み込まれています。

これにより、時間のかかる再設計が回避され、開発コストが削減されます。さらに、IC EMCパラメータを決定するためのテスト方法の助けを借りて、ICメーカーはICをより効率的に開発することができます。

​テストのセットアップには、ICテスト環境ICE1と外部デバイスが必要です。

​P1202-4を使用した測定ステーションの構造と機能

P1202-4/P1302-4セットでセットアップをテストします。​

​P1202-4/P1302-4セット内容

【H4-1Cセット】               

  EFT/バースト磁場源  

BS 06DB-s磁場源は、EFT/バースト磁場を生成するために使用されます。フィールドソースには、HVケーブルを介してEFT/バーストジェネレータ(IEC61000-4-4)からEFT/バースト電源が供給されます。最小のスペース(2.54m㎡)で高磁場(約200mT)を生成します。これにより、フィールドをICに結合するのに特に適しています。フィールドソースは、スキャナーに挿入するか、手動でガイドすることができます。SMB出力があります。

​フィッシャーコネクタとSHVコネクタ

​BS 06DB-sでの使用例

​BS 06DB-sおよびHVケーブルでのセット内容

【H5-1Cセット】               

  EFT/バースト磁場源  

BS 06DB-s磁場源は、EFT/バースト磁場を生成するために使用されます。フィールドソースには、HVケーブルを介してEFT/バーストジェネレータ(IEC61000-4-4)からEFT/バースト電源が供給されます。最小のスペースで高磁場(約150mT)を生成します。これにより、フィールドをICに結合するのに特に適しています。フィールドソースは、スキャナーに挿入するか、手動でガイドすることができます。SMB出力があります。

​フィッシャーコネクタとSHVコネクタ

​磁場源BS06DU-sの適用原理

​BS 06DU-sおよびHVケーブルでのセット内容

  ESDカップリング     

【P331-2セット】               

  ESDパルスカップリングIEC61000-4-2  

プローブセットP331-2は、ESDパルスをICに結合するために使用されます。P331-2プローブの寸法は、電子アセンブリのESD結合のメカニズムに基づいています。(IEC61000-4-2/HMMに準拠)。P331-2​は、すべてのタイプのICピンでの測定を目的としています。​

P331-2​を備えた測定ステーションのスキーム

P331-2​を備えた測定ステーション

P331-2セット内容

【P331L-ESDセット】               

  ESDパルスカップリングロングパルス0.2/5  

プローブセットP331L-2ESDは、ランガーESDパルス(立ち上がり時間200ps)のICへの有線結合に使用されます。P331L-ESDプローブの寸法は、電子アセンブリへのESD結合のメカニズムに基づいています。

P331​を備えた測定ステーションのスキーム

P331を備えた測定ステーション

P331のセット内容

【P1202-2セット】               

  ESD磁場カップリング  

プローブセットESD磁場カップリングに含まれる磁場源は、磁場ESD磁場を生成します。このフィールドはICを定義し、ESDフィールドに対するイミュニティを判断するために再現可能な方法でICを適用するために使用されます。

この背景には、プリント回路基板と電子機器のESDフィールドイミュニティがあります。これらは、ESDテスト(IEC61000-4-2)の対象となります。これらのテスト中、電界および磁界は、プリント回路基板に結合されたESDイミュニティから発生します。これらのフィールドは、プリント回路基板の表面に作用し、ICのハウジングを貫通します。フィールドがICを貫通すると、ICにイミュニティが発生します。

したがって、磁場または電界を介したICの影響は、ICピンを介したESD干渉のラインベースの結合に加えて、主要な干渉経路です。

プローブセットESD磁場結合を備えたICのEMC動作について得られた知識は、アセンブリの開発に組み込まれています。

これにより、時間のかかる再設計が回避され、開発コストが削減されます。さらに、IC EMCパラメータを決定するためのテスト方法の助けを借りて、ICメーカーはICをより効率的に開発することができます。

​テストのセットアップには、ICテスト環境ICE1と外部デバイスが必要です。

​ICE1を使用した測定セットアップ

P1202-2の測定ステーション

P1202-2のセット内容

【P1202/P1301L-ESDセット】               

  ESDフィールドカップリングロングパルスH0.2/2.5およびE0.2/5.5ns  

200psのランガーESDを結合するプローブセットフィールドに含まれるフィールドソースは、非常に高速な電気的および磁気的ESDパルスフィールド(200ps)を生成します。これらのフィールドは、ESDフィールドに対するイミュニティを判断するために、ICを定義し、再現性よく作用するために使用されます。この背景には、プリント回路基板や電子機器のESDフィールドイミュニティがあります。これらはESDテスト(IEC61000-4-2)プリントにかけられます。これらのテスト中、プリント回路基板結合されたESDイミュニティは、標準のESDパルスフィールドだけでなく、非常に高速な電界および磁界(200ps)からも発生します。これらのフィールドは、プリント回路基板の表面に作用し、ICのハウジングを貫通します。フィールドがICを貫通すると、ICにイミュニティが発生します。

したがって、磁場または電界を介したICの影響は、ICピンを介したESD干渉のラインベースの結合に加えて、主要な干渉経路です。

ICのEMC動作に関する200psランガーESDを結合するプローブセットフィールドで得られた知識は、アセンブリの開発に組み込まれています。

これにより、時間のかかる再設計が回避され、開発コストが削減されます。さらに、IC EMCパラメータを決定するためのテスト方法の助けを借りて、ICメーカーはICをより効率的に開発することができます。

​テストのセットアップには、ICテスト環境ICE1と外部デバイスが必要です。

P1202L-ESD​​​を備えた測定セットアップ

​P1202L-ESD磁場源を備えた測定ステーション

​P1202/P1301L-ESDセット内容

  HFカップリング     

【P500セット】               

  最大3GHzのHF電力結合IEC62132-4  

プローブセットP500は、IEC62132-4に準拠したイミュニティの伝導測定に使用されます。免疫パラメータを知ることにより、ICを最適化し、アプリケーション要件を定義することができます。利用可能なDPIカップリングネットワーク(P501,P502,P503)により、さまざまな周波数範囲とさまざまな入力電圧でのHFカップリングが可能になります。

P503を備えた測定ステーション

P500を備えた測定セットアップ

P500セット内容

【P503セット】               

  1GHzのHF電力結合IEC62132-4  

プローブセットP503は、IEC62132-4に準拠したイミュニティの伝導測定に使用されます。免疫パラメータを知ることにより、ICを最適化し、アプリケーション要件を定義することができます。

P503を備えた測定セットアップ

P500を備えた測定セットアップ

P503セット内容

【P501セット】               

  最大3GHzのHF電力結合IEC62132-4  

プローブセットP501は、IEC62132-4に準拠したイミュニティの伝導測定に使用されます。免疫パラメータを知ることにより、ICを最適化し、アプリケーション要件を定義することができます。

P501を備えた測定セットアップ

P500を備えた測定セットアップ

P5001セット内容

【P1401/P1501セット】               

  最大1GHzのHFフィールド結合  

「1GHzまでのHFフィールドカップリング」プローブセットは、HF磁場(P1401)またはHF-Eフィールド(P1501)の影響下でのイミュニティに関してICを調べるために使用されます。

これらの調査は、EMCに準拠したICの開発の基礎です。更に、決定されたRFパラメータは、ICユーザーがICに最適なアプリケーションを開発するのに役立ちます。

​テストのセットアップには、ICテスト環境ICE1,HFジェネレータ、およびパワーアンプも必要です。フィールドソースは、短絡および無負荷のパワーアンプと組み合わせてのみ操作できます。

P1501を備えた測定セットアップ

P1501を使用した概略測定装置

P1401/1501のセット内容

【P1402/P1502セット】               

  最大3GHzのHFフィールド結合  

「最大3GHzのHFフィールドカップリング」プローブセットは、HF磁場(P1402)またはHF-Eフィールド(P1502)の影響下でのイミュニティに関してICを調べるために使用されます。

これらの調査は、EMCに準拠したICの開発の基礎です。更に、決定されたRFパラメータは、ICユーザーがICに最適なアプリケーションを開発するのに役立ちます。

​テストのセットアップには、ICテスト環境ICE1,HFジェネレータ、およびパワーアンプも必要です。フィールドソースは、短絡および無負荷のパワーアンプと組み合わせてのみ操作できます。

P1502を備えた測定セットアップ

P1502を使用した概略測定装置

P14012/1502のセット内容